Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BT168GW.115

Версия для печати

Технические характеристики BT168GW.115

Параметр
Значение
Производитель NXP
Количество в упаковке 1000 шт.
Вес 0.258 г
Bag Type 600 В
Bale Length 0.5 А
Bandwidth 1.35 В
Base Size 5 мА
Base Type 0.2 мА
Время включения 2 мкс
Barrel Depth 100 мкс
Barrier Type NXP
Корпус (размер) SOT223
Рабочая температура -40...125 °C
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
AD8551AR
ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 3...
Купить
LM1876TF
ИМС УНЧ 2хК 11-20Вт MULTIWATT
Купить
T1050H-6I
Высокотемпературный симистор на 10а, 600в, изолированный корпус
Купить