Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002ET1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002ET1G 21600 2.10 руб. 

Технические характеристики 2N7002ET1G

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 260mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.81nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 26.7pF @ 25V
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.