Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002LT1G

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002LT1G (ONS) 7538 5.49 руб. 

Технические характеристики 2N7002LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 115mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAV70 (HOTTECH) 198717 2.00 руб. 
BLM18PG331SN1D (MURATA) 48622 2.20 руб. 
CAT24C04WI-GT3 (ONS) 942 32.59 руб. 
SN74LVC1G32DCKR (TEXAS INSTRUMENTS) 2320 19.84 руб. 
TC1047AVNBTR (MICRO CHIP) 16832 62.98 руб. 
2N7002L
N-канальные транзисторные модули

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel

Также в этом файле: 2N7002LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

2n7002l.pdf
62.21Kb
4стр.