2N7002WT1G


Наименование
Кол-во
Цена
2N7002WT1G (ONSEMI) 15 7.88

Технические характеристики 2N7002WT1G

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 310mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 24.5pF @ 20V
Power - Max 280mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru