2SB649

Описание 2SB649

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 20 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 120 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60
Корпус: TO126