2SD1555

Описание 2SD1555

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 50 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 600 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 8
Корпус: ISO218