Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SD2012

Версия для печати Биполярный транзистор NPN 60V, 3A, 25W, 9MHz

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SD2012 (TOS) 178 75.47 руб. 

Технические характеристики 2SD2012

Параметр
Значение
Корпус TO-220F
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 3MHz
Power - Max 25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SD2012

Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sd2012.pdf
167.27Kb
3стр.