Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2SD882 | 6702 | 10.00 руб. | |
Биполярный высокочастотный транзистор
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Мощность максимальная 10Вт
Напрячжение сток исток 30В
Напряжение исток база 5В
Ток коллектора максимальный 3A
Температура перехода до 150°C
Граничная частота 90МГц
Коэффициент передачи Hfe 60/120
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
Power - Max | 12.5W |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-126-3 |
Корпус | SOT-32-3 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2SB772 | 1880 | 10.34 руб. | |
2SD882 PNP / NPN Epitaxial Planar Transistors
Производитель:
|
||