Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BS

Версия для печати Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BS (YJ) 10400 3.54 руб. 

Технические характеристики BC847BS

Параметр
Значение
Корпус SC-70-6
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 210mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
0603 3 КОМ 5% (RC0603JR-073KL) (YAGEO) 3920 1.08 руб. (от 500 шт.  0.36 руб.)
0603 5.1 КОМ 5% (RC0603JR-075K1L) (YAGEO) 4000 1.08 руб. (от 500 шт.  0.36 руб.)
RC0603JR-0751KL (YAGEO) 65600 1.18 руб. 
BC847BS

Npn General Purpose Double Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bc847bs.pdf
49.47Kb
8стр.