Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC857ALT1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BC857ALT1G (ONS) 3570 4.10 руб. 

Технические характеристики BC857ALT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
LBC857

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: LBC857ALT1G

Производитель:
Leshan Radio Company
//www.lrc-china.com

lbc857.pdf
154.43Kb
7стр.