Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC857CLT1G

Версия для печати Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт 3G рулон

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC857CLT1G (ONS) 54487 4.79 руб. 

Технические характеристики BC857CLT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847CLT1G (ONS) 87415 4.50 руб. 
КЭМ-2 ГР.А (РЗМКП) 4330 73.38 руб. 
BC856ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC857CLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc856alt1.pdf
112.6Kb
8стр.