Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC858ALT1

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BC858ALT1 1030 6.34 руб. 

Технические характеристики BC858ALT1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BC856ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC858ALT1, BC858ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc856alt1.pdf
112.6Kb
8стр.