Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSN20

Версия для печати N-channel enhancement mode field-effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSN20 6800 2.44 руб. 

Технические характеристики BSN20

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 100mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 173mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 25pF @ 10V
Power - Max 830mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BSN20
MOSFET

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Производитель:
NXP

BSN20.pdf
316.5 Кб