Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP170P

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP170P 1240 32.34 руб. 

Технические характеристики BSP170P

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 410pF @ 25V
Power - Max 1.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус PG-SOT223-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
AO3401 7200 3.77 руб.