Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP52

Версия для печати Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP52 (ON SEMICONDUCTOR) 800 Заказ радиодеталей

Технические характеристики BSP52

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Power - Max 1W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BSP50
Биполярные NPN транзисторы Дарлингтона

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BSP50BSP52, BSP52

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bsp50.pdf
156.14Kb
5стр.