BSZ110N06NS3G
Описание BSZ110N06NS3G
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8Технические характеристики BSZ110N06NS3G
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 30V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVDFN |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru