BU508AF

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS

Наименование	Кол-во	Цена
BU508AF (PHILIPS)	62	144.00 руб.

Описание BU508AF

Мощный высоковольтный NPN транзистор в изолированном корпусе. Применяется в блоках горизонтальной развертки и импульсных блоках питания телевизоров.
Основные параметры транзистора BU508AF:
Uкэ(max) Uбэ=0 1500V
Uкэ(max) Iб=0 700V
Iк(max) 8A
Iк.имп(max) 15A
Iб(max) 4A
Pрасс.(max) 34W
Iкэ.нас. (Iк=4,5А) < 1V
Диапазон рабочих температур -65..+150^oC
Hfe 6..30
Fгр 7MHz
Cк 125pF
Время выключения 0,7µS
Корпус Fairchild TO-3PML
Корпус Philips SOT-199
Аналог КТ872А1

Технические характеристики BU508AF

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 1.6A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 100mA, 5V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOWATT218FX
Корпус	ISOWATT-218FX

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
BU508DF (PHILIPS)	84	168.00 руб.
BUZ90AF (SIEMENS)	5	232.56 руб.
КТ 818Г	78	96.00 руб.

BU508AF

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Wing Shing Electronic
//www.wingshing.com

bu508af.pdf
144.83Kb
1стр.