Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDD8N50NZ

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
FDD8N50NZ (ONS) 72 110.06 руб. 

Технические характеристики FDD8N50NZ

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.25A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия UniFET-II™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 735pF @ 25V
Power - Max 90W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.