Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDN360P

Версия для печати MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А

Наименование
Кол-во
Цена
 
FDN360P 9600 4.87 руб. 

Описание FDN360P

Напряжение сто-исток 30В
Ток 2а(10А имп.)
 Мощность  0.5Вт
Диапазон температур -55 ... 1500оС 

Технические характеристики FDN360P

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerTrench®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 298pF @ 15V
Power - Max 460mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус 3-SSOT
Product Change Notification Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
HPM14A (JLW) 1600 67.39 руб. 
IRF7351TRPBF (INFINEON) 4960 88.56 руб. 


MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А

fdn360p.pdf
122,56kB
5стр.