Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDV303N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
FDV303N (ONS) 9816 9.90 руб. 

Технические характеристики FDV303N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 680mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 10V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MC74HC164ADR2G (ONS) 495 31.79 руб. 
SA555DR 40000 33.30 руб. 
TSV992AIDT (ST MICROELECTRONICS) 152 209.73 руб. 
FDV303N
MOSFET

Digital FET , N-Channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDV303N.pdf
65.7 Кб
CC25-11GWA
7-сегментный четырехразрядный светодиодный индикатор с высотой символа 6.2мм (0.25 дюйма) Высота символа 6.2мм (0.25 дюйма). Малый ток потребления ...
Купить
AD1865N-K

Купить
BLF051MGC-6V-P
Светодиод 5мм с фланцевым цоколем и встроенным резистором на 6в Встроенный резистор на 6В. Долговечен. Малое потребление. RoHS совместимый. ...
Купить