Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1407 | 1600 | 107.57 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 78A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| AMS1117CD-2.5 (LM1117DT-2.5) (AMS) | 1796 | 12.55 руб. | |
| КТ815Г (БРЯНСК) | 7895 | 43.20 руб. | |
|
IRF1407 MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
