IRF530

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=90W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF530 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	106.33 руб.

Технические характеристики IRF530

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	670pF @ 25V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	STripFET™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF530

Наименование	Кол-во	Цена
BUZ71A	38	99.90 руб.
КП745Б (ИНТЕГРАЛ)	26	128.88 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1.5KE400CA (HOTTECH)	2702	47.29 руб.
КС213Б (СЗТП)	40	70.88 руб.

IRF530FP
Мощные полевые МОП транзисторы

N - Channel Enhancement Mode Power Mos Transistor

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf530fp.pdf
80.15Kb
5стр.

DS1305EN
Часы/календарь, интерфейс 3W, 96 байт ОЗУ, -40..+80C
Купить

L78L05ACZ
Миниатюрный стабилизатор напряжения со встроенным ограничением тока нагрузки и тепловой защитой. При установке на радиатор способен обеспечить ток наг...
29.96 руб Купить

AM1D-1205SZ
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 12В±10%, выход 5В 200мА, изоляция 1кВ
Купить