Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF540N | 670 | 90.82 руб. | |
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Параметр |
Значение |
---|---|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Power - Max | 130W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF540NL N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=100V, Rds (on) =44mohm, Id=33A) Также в этом файле: IRF540NS
Производитель:
|
||