IRF630N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 R@Vgs=10V, P=82W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF630N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	24	76.80 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	575pF @ 25V
Power - Max	82W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Кол-во	Цена
IRF2807 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	214.20 руб.
IRF630 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	533	94.86 руб.
КР1211ЕУ1	338	1 470.00 руб.

IRF630N
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A)

Также в этом файле: IRF630NL, IRF630NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf630n.pdf
155.06Kb
11стр.