Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF640NSTRLPBF

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF640NSTRLPBF 1260 55.92 руб. 

Технические характеристики IRF640NSTRLPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 18A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1160pF @ 25V
Power - Max 150W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.