Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF640PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200В, 18А)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF640PBF (VISHAY) 191 125.36 руб. 

Технические характеристики IRF640PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 18A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SA1930 (TOS) 28 512.45 руб. 
IRF9640PBF (VISHAY) 310 117.36 руб. 
КЛЕЕВОЙ СТЕРЖЕНЬ КР. 11Х190 1800 16.76 руб. 
IRF640PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF640PBF.pdf
2.2 Мб