Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF640SPBF

Версия для печати N-Ch 200V 18A 3,1W 0,18R

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF640SPBF (VISHAY) 800 157.25 руб. 

Технические характеристики IRF640SPBF

Параметр
Значение
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 18A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 130W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.