Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF6727MTRPBF

Версия для печати N-channel hexfet power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF6727MTRPBF (INFINEON) 4298 226.43 руб. 

Технические характеристики IRF6727MTRPBF

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 32A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6190pF @ 15V
Power - Max 2.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) DirectFET™ Isometric MX
Корпус DIRECTFET™ MX
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF6727MTRPBF
MOSFET

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6727MTR1PBF.pdf
258.6 Кб