Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF720

Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF720 (ВЗПП) 8 55.08 руб. 

Технические характеристики IRF720

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 410pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF720

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF730 152 116.16 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
NE555DR 7150 10.25 руб. 
IRF72x

N-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRF720

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

irf72x.pdf
277.47Kb
5стр.