Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7204 (TECH PUBLIC) | 25 | 29.76 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 860pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| ATMEGA88PA-AU (MICRO CHIP) | 6080 | 223.17 руб. | |
| BSN20 | 6800 | 2.08 руб. | |
| IRLML6402 (HOTTECH) | 232000 | 4.96 руб. | |
|
IRF7204 P-канальные транзисторные модули Power MOSFET
Производитель:
|
||
 | РљР•182 Р В Р’ВВР РЋР Сџ.1 РљР РђРЎРќ. ВыключателРцРїСЂРСвЂВР В Р’В Р РЋР’Веняются РІРїРѕРТвЂВРІРСвЂВжных РцнепоРТвЂВРІРСвЂВжных стацРСвЂВонарных установках, втоРѠС‡РСвЂВсле С…РСвЂВР В Р’В Р РЋР’ВостойкРСвЂВС… Р В Р’В Р РЋРІР‚ВР В Р’В·Р В РўвЂВелРСвЂВСЏС… Рцкузнечно-прессовоРѠРѕР±РѕСЂСѓРТвЂВованРСвЂВРцРљРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВРЎР‚... 756.28 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | Р РЋР В 50-426ФВ РЎРѕРµРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВР Р…Р СвЂВтелРцС‚РСвЂВР С—Р В° Р РЋР В -50 Р В Р’В Р СћРІР‚Вля СЃРѕРµРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВненРСвЂВР РЋР РЏ байонетныРѠРСвЂВР»РцрезьбовыРѠСЃРїРѕСЃРѕР±РѕРѠСЂР°РТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚Вочастотных трактовс волновыРѠСЃРѕРїСЂРѕС‚РСвЂВвленРСвЂВРµРѠ50 РћРСВВ. Р”РСвЂВапазон частот РѕС‚ 300... 2099.20 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | Р”131-80Р В РўС’-14 904.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
