IRF7301
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF7301TRPBF (INFINEON) | 1120 | 34.24 |
Описание IRF7301
Транзистор с изолированным затвором и двойным каналом n-типа
Для поверхностного монтажа c логическим управляющим сигналом.
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В 20
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии тарнзистора 0,05
Максимально допустимый постоянный ток стока, А 5,2 (25)
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт 62.5
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора, Вт 2
Тип корпуса SO-8
Технические характеристики IRF7301
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru