Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 800 | 97.92 руб. | |
Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.
Параметр N-канал P-канал
Uси.max 30V -30V
Uзи.max +/- 20V
Iс.max 4A(+25oC), 3,2A(+70oC) /-3A(+25oC) -2,4A(+70oC)
Pрасс.max 1,4W (при +25oC)
Rси.откр. (тип.) 0,05 Om 0,1 Om
Свх/Cвых (тип.) 520pF/180pF 440pF/200pF
tвкл/выкл (тип.) 6.8nS/22nS 11nS/25nS
Tраб. -55oC..+150oC
Параметр |
Значение |
---|---|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A, 3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.4A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | N and P-Channel |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 520pF @ 15V |
Power - Max | 1.4W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7309 N/P-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||