Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7341 | 1960 | 35.08 руб. | |
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики S,мА/В 7900
Пороговое напряжение на затворе,В 1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7341Q Дискретные сигналы 55V Dual N-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
