IRF7832

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=20A@T=25C, Id=16A@T=70C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7832 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	8	199.76 руб.

Технические характеристики IRF7832

Параметр	Значение
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.32V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4310pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
ES1A (YJ)	6066	4.60 руб.
SMAJ20CA (LITTELFUSE)	26786	11.50 руб.

IRF7832
Дискретные сигналы

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7832.pdf
211.32Kb
10стр.

R13-511BR
Коммутируемый ток / напряжение 3A 250V AC, 6A 125V AC Сопротивление контактов / изоляции ?50mOm / 100MOm 500V DC Количество коммутаций / наработка ча...
88.64 руб Купить

MTS-203
Предельное напряжение 1000 В AC в теч 1 мин Предельный ток 6 А при 125 В АС 3 А при 250 В АС Сопротивление изоляции 1000 МОм min 500 В DС Сопротивлени...
Купить

KP-2012CGCK
Светодиод для поверхностного монтажа 2.0х1.25мм Размер корпуса 2.0х1.25х1.1мм. Малое потребление. Широкий угол обзора. Идеален для подсветки ...
12.34 руб Купить