IRF820
Транзистор полевой N-Канальный 500В, 4A , 80ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF820 (VISHAY) | 40 | 140.76 |
| IRF820PBF (VISHAY) | 720 | 108.23 |
Описание IRF820
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <0.3 Ом
Максимальная мощность рассеивания 80Вт
Допустимое напряжение на затворе +/-30В
Время включения/выключения 13/15нс (тип.)
Диапазон рабочих температур - 55 ...+150oC
Технические характеристики IRF820
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Серия | PowerMESH™ |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru