Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF8313PBF | 5 |
![]() |
|
Параметр |
Значение |
---|---|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF8313PbF MOSFET 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
||
![]() | РџРљР• 222-1 ЧЕРН. Р ВР РЋР Сџ. 1 2Р— предназначены для РєРѕРСР Сутации электрических цепей управления переРСенного тока Р Р…Р В°Р С—РЎР‚РЎРЏР В¶Р ВµР Р…Р С‘Р ВµР С Р Т‘Р С• 660 Р’ частотой 50 Р С‘ 60 Гци постоянного тока Р Р…Р В°Р С—РЎР‚РЎРЏР В¶Р ВµР Р…Р С‘Р ВµР С Р Т‘... 249.56 СЂСѓР± Купить |
![]() | HDSP-F513 РЎРµРСисегРСентный светодиодный индикатор, высота СЃРёРСвола 10.16 Р СР С (0.4") Купить |
![]() | TLMS32S2U1 Мощный светодиод в корпусе plcc-4 Купить |