Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF8313PBF

Версия для печати Транзистор МОП N-канальный (30V, 9.7A, 2W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF8313PBF 5 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF8313PBF

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 15V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAT54A (YJ) 176000 2.48 руб. 
BAT54C (HOTTECH) 185047 2.20 руб. 
BAT54S (YJ) 160000 2.48 руб. 
KBPC3510W (YJ) 146 212.44 руб. 
STPS3L60U (ST MICROELECTRONICS) 2985 30.29 руб. 
IRF8313PbF
MOSFET

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8313PbF.pdf
254.8 Кб
ПКЕ 222-1 ЧЕРН. ИСП. 1 2З
предназначены для коммутации электрических цепей управления переменного тока напряжением до 660 В частотой 50 и 60 Гц и постоянного тока напряжением д...
249.56 РЎР‚СѓР± Р С™РЎС“пить
HDSP-F513
Семисегментный светодиодный индикатор, высота символа 10.16 мм (0.4")
Купить
TLMS32S2U1
Мощный светодиод в корпусе plcc-4
Купить