IRF9530N

P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт

Наименование
Кол-во
Цена
IRF9530N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 53 159.12

Описание IRF9530N

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики транзистора IRF9530N:
Максимальный ток стока  14А
Максимальное напряжение сток-исток         100В
Сопротивление сток-исток (откр.)           < 0.2Ом
Максимальная мощность рассеивания          79Вт
Допустимое напряжение на затворе          +/-20В
Пороговое напряжение на затворе     - 2 ...-4V
Ток утечки затвора              < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.)         < 25 мкА
Время включения/выключения         15/45нс(тип.)
Время восстановления диода           130нс (тип.)
Входная/выходная ёмкость        760/260пФ
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур  - 55..+175oC

Технические характеристики IRF9530N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 14A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru