Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9Z24N | 1380 | 60.36 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF9Z24NS P-канальные транзисторные модули 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z24NS
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
