Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF9Z34N | 920 | 37.31 руб. | |
IRF9Z34NPBF | 3240 | 33.50 руб. | |
P-канальный полевой транзистор
Напряжение сток / исток 55В
Напряжение затвор / исток -/+ 20В
Ток стока 19A@T=25C, Id=14A@T=100C
Сопротивление Rds=0.1 R@Vgs=10В
Мощность 68Вт
Диапазон температур - 55 ... +175оC
Параметр |
Значение |
---|---|
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF9Z34NS P-канальные транзисторные модули 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z34NS
Производитель:
|
||