Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBC30APBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 2.2Ом, Id(25°C) = 3.6A

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFBC30APBF (VISHAY) 191 54.31 руб. 

Технические характеристики IRFBC30APBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFBC30APBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC30APBF.pdf
193.3 Кб