IRFBG30PBF

Версия для печати Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to +150C), Pb-free.

Наименование	Кол-во	Цена
IRFBG30PBF	1580	116.64 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	980pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Кол-во	Цена
BC848B	43200	1.03 руб.
BC858B	15200	1.88 руб. (от 100 шт. 0.94 руб.)
STPS20H100CT (ST MICROELECTRONICS)	728	86.20 руб.

IRFBG30PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBG30PBF.pdf
2.1 Мб