IRFD120

МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт

Наименование
Кол-во
Цена
IRFD120 (VISHAY) 232 109.45

Описание IRFD120

Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток     100V B
Предельное напряжение затвор-исток  20 В
Предельный ток затвора транзистора    0.94 А
Предельная температура   150оС
Ёмкость стока   360 пФ
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии   0.27 Ом

Технические характеристики IRFD120

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru