Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFI4229PBF (INFINEON) | 879 | 218.64 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4480pF @ 25V |
| Power - Max | 46W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFI4229PBF MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
 | DILM40(24V50HZ) Контактор РЎРѓР СвЂВловой 3С… фазный Р  В РЎС›Р В РЎвЂўР В РЎвЂќ  Р  В РЎвЂќР В РЎвЂўР В РЎВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВСЂСѓРµРСВВый Р В Р’В Р СћРІР‚ВР С• 40АНапряженРСвЂВР В Р’Вµ РєРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВСЂСѓРµРСВВРѕРµ   Р В Р’В Р СћРІР‚ВР С• 660ВМощность РєРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВСЂСѓРµРСВВая  Р В Р’В Р СћРІР‚ВР С• ... 10717.28 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | ICE2B0565 SMPS СЃС…. СѓРїpавленРСвЂВР РЋР РЏ, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W 60.04 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | HP-6501R РљСѓРїРСвЂВть |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
