Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFIBF30GPBF

Версия для печати Hexfet® power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFIBF30GPBF (VISHAY) 798 326.80 руб. 

Технические характеристики IRFIBF30GPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
Power - Max 35W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус TO-220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFIBF30GPBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFIBF30GPBF.pdf
907.8 Кб