Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPC50PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 11A, 180W, 0.6R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPC50PBF (VISHAY) 352 590.40 руб. 

Технические характеристики IRFPC50PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2700pF @ 25V
Power - Max 180W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFPC50PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPC50PBF.pdf
1.9 Мб