Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPE30PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 4.1A, 125W, 3.0R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPE30PBF (VISHAY) 626 198.94 руб. 

Технические характеристики IRFPE30PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFPE30PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPE30PBF.pdf
1.7 Мб