Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPE50PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vси = 800 В, Rоткр = 1.2 Ом, Id(25°C) = 7.8 A)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPE50PBF (VISHAY) 400 755.71 руб. 

Технические характеристики IRFPE50PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3100pF @ 25V
Power - Max 190W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFPE50PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPE50PBF.pdf
852.9 Кб