Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPG30PBF

Версия для печати Hexfet® power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPG30PBF (VISHAY) 75 272.22 руб. 

Технические характеристики IRFPG30PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFPG30PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPG30PBF.pdf
1.7 Мб