Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPG50PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPG50PBF (VISHAY) 500 399.58 руб. 

Технические характеристики IRFPG50PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 190nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2800pF @ 25V
Power - Max 190W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
3296W 5K 1360 16.85 руб. 
IRFPG50PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPG50PBF.pdf
249.7 Кб
ДЧ261-320-12

828.00 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
KP-3216QBC-D
Светодиод для поверхностного монтажа 3.2х1.6мм Размер корпуса 3.2х1.6х1.1мм. Малое потребление. Широкий угол обзора. Уровень чувствительности к вл...
11.62 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
ACM2002D
Символьгый ЖК модуль, 20x2, размер 116x37x9.5/13.5мм., разм. символа 3.20x5.55мм.
Купить