Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR1N60APBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 1.4A, 36W, 7.0R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR1N60APBF (VISHAY) 130 46.89 руб. 

Технические характеристики IRFR1N60APBF

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 840mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 229pF @ 25V
Power - Max 36W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFR1N60APBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR1N60APBF.pdf
111 Кб